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型号 IPI032N06N3 G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
IPI032N06N3 G PDF
代理商 IPI032N06N3 G
产品变化通告 Product Discontinuation 26/Jul/2012
标准包装 500
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 3.2 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 118µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 165nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 13000pF @ 30V
功率 - 最大 188W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装 PG-TO262-3
包装 管件
其它名称 SP000451490
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